Рассеяние экситонного поляритона на примесных центрах в GaAs
Зайцев Д.А., Кавокин А.В., Сейсян Р.П.

Поступила в редакцию: 18 Октября 2016

DOI: 10.7868/S0044451017040162

PDF (294.6K)

Рассеяние экситонного поляритона примесными центрами при низких температурах мало исследовано, несмотря на его существенную роль в процессах, сопровождающих бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонного поляритона. С целью изучения особенностей взаимодействия экситонного поляритона с примесными центрами мы предприняли изучение интегрального поглощения основного состояния n₀=1 экситона в GaAs в тонких пластинах микронной толщины, имеющих заметное оптическое пропускание. Сравнительное исследование пропускания в окрестности экситонного резонанса, выполненное на 15 образцах кристаллических пластин GaAs с различной концентрацией примеси N, обнаружило неожиданную закономерность. В то время как N возрастает почти на пять десятичных порядков величины, нормализованное спектрально-интегрированное поглощение света обнаруживает слабый рост, подчиняясь степенной зависимости от концентрации N^m, где m=1/6. Показано, что эта зависимость является свидетельством диффузионного механизма распространения экситонного поляритона сквозь толщу полупроводника, которое присутствует наряду с баллистическим проникновением света сквозь образец.