ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ФОТОНОВ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ СО СЛОЕМ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е.

Поступила в редакцию: 30 Марта 2010

DJVU (110.5K)

PDF (254.6K)

Исследовано поглощение света гетероструктурами GaAs/AlAs со слоем самоорганизованных квантовых точек InAs при резонансном туннелировании через выделенную по энергии квантовую точку. Продемонстрирована высокая чувствительность тока через такой выделенный канал туннелирования к поглощению единичных фотонов с длиной волны нм вплоть до температуры 50 К, обусловленная кулоновским влиянием фотовозбужденных дырок, захватываемых окружающими квантовыми точками, на условия резонанса. Показано, что изучаемая система вследствие поглощения одного фотона способна дискретно изменять величину протекающего через нее тока более чем в 50 раз. Измерены времена жизни дырок в захваченном состоянии и представлена модель, качественно описывающая наши экспериментальные данные. Продемонстрировано также, что монослой InAs является эффективным слоем для абсорбции фотонов. Свойства изученной гетеросистемы могут быть использованы не только для фотодетектирования, но и для реализации логических вентилей и схем оптической памяти.