Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 133, Вып. 3, стр. 632 (Март 2008)
(Английский перевод - JETP, Vol. 106, No 3, p. 550, March 2008 доступен on-line на www.springer.com )

СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СИНГЛЕТНЫХ ПАРАМАГНЕТИКАХ HoVO4 И HoBa2Cu3Ox В СИЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
Казей З.А., Снегирев В.В., Гоаран М., Козеева Л.П., Каменева М.Ю.

Поступила в редакцию: 7 Августа 2007

PACS: 71.70.Ch, 71.70.-d, 75.40.Mg, 76.30.Kg

DJVU (216.3K) PDF (748.8K)

Проведены сравнительные исследования поглощения микроволнового излучения в импульсных магнитных полях до 40 Тл в области низких температур в тетрагональных синглетных парамагнетиках HoVO4 (структура циркона) и HoBa2Cu3Ox (x\approx 6, структура слоистого перовскита), для которых характерна синглет-дублетная схема нижних уровней иона Ho3+ в кристаллическом поле. Для HoVO4 в магнитном поле вдоль тетрагональной оси кристалла эксперимент обнаруживает ряд резонансных линий поглощения на длинах волн 871, 406, 305 мкм, соответствующих электронным переходам между низколежащими уровнями иона Ho3+ в кристаллическом поле. Положения и интенсивности наблюдаемых линий поглощения в HoVO4 достаточно хорошо описываются в рамках формализма кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для HoBa2Cu3Ox на экспериментальных спектрах на длине волны 871 мкм наблюдаются широкие резонансные линии поглощения на фоне сильного нерезонансного поглощения. Обсуждается влияние низкосимметричных (орторомбической и моноклинной) компонент кристаллического поля, отклонения магнитного поля от оси симметрии и различных парных взаимодействий на спектры поглощения в кристаллах HoVO4 и HoBa2Cu3Ox.

 
Сообщить о технических проблемах