ЖЭТФ, Том 133,
Вып. 3,
стр. 632 (Март 2008)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 106, No 3,
p. 550,
March 2008
доступен on-line на www.springer.com
)
СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СИНГЛЕТНЫХ ПАРАМАГНЕТИКАХ HoVO4 И HoBa2Cu3Ox В СИЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
Казей З.А., Снегирев В.В., Гоаран М., Козеева Л.П., Каменева М.Ю.
Поступила в редакцию: 7 Августа 2007
PACS: 71.70.Ch, 71.70.-d, 75.40.Mg, 76.30.Kg
Проведены сравнительные исследования поглощения микроволнового излучения в импульсных магнитных полях до 40 Тл в области низких температур в тетрагональных синглетных парамагнетиках HoVO4 (структура циркона) и HoBa2Cu3Ox (, структура слоистого перовскита), для которых характерна синглет-дублетная схема нижних уровней иона Ho3+ в кристаллическом поле. Для HoVO4 в магнитном поле вдоль тетрагональной оси кристалла эксперимент обнаруживает ряд резонансных линий поглощения на длинах волн 871, 406, 305 мкм, соответствующих электронным переходам между низколежащими уровнями иона Ho3+ в кристаллическом поле. Положения и интенсивности наблюдаемых линий поглощения в HoVO4 достаточно хорошо описываются в рамках формализма кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для HoBa2Cu3Ox на экспериментальных спектрах на длине волны 871 мкм наблюдаются широкие резонансные линии поглощения на фоне сильного нерезонансного поглощения. Обсуждается влияние низкосимметричных (орторомбической и моноклинной) компонент кристаллического поля, отклонения магнитного поля от оси симметрии и различных парных взаимодействий на спектры поглощения в кристаллах HoVO4 и HoBa2Cu3Ox.
|
|