СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ СЛАБЫЕ СВЯЗИ НА ГРАНИЦАХ ЗЕРЕН ДИБОРИДА МАГНИЯ
Тарасов М., Степанцов Е., Найто М., Цукадо А., Винклер Д., Калабухов А., Куприянов М.

Поступила в редакцию: 25 Января 2007

PACS: 74.45.+c, 74.50.+r

DJVU (107.2K)

PDF (465.5K)

С целью исследования возможности создания бикристаллических джозефсоновских переходов и болометров на основе сверхпроводящего MgB₂ созданы бикристаллические подложки из MgO. На подложках выращены эпитаксиальные бикристаллические пленки MgB₂. В них изготовлены микромостики шириной 0.85-6 мкм, пересекающие бикристаллическую границу. Установлено, что отжиг бикристаллических образцов в кислороде приводит к систематическому снижению критического тока, увеличению температурной ширины области перехода, улучшению формы вольт-амперной характеристики (ВАХ), которая становится близкой к форме ВАХ джозефсоновского перехода. Измерен отклик такого перехода на излучение на частоте 110 ГГц с амплитудой, достигающей 0.5 мВ.