АВТОСОЛИТОНЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ПЛАЗМЕ p-Ge
Винославский М.Н., Белевский П.А., Кравченко А.В.

Поступила в редакцию: 8 Августа 2005

PACS: 71.35.Ee, 72.20.Ht

DJVU (369.9K)

PDF (558.9K)

Экспериментально исследованы процессы самоорганизации электронно-дырочной плазмы (ЭДП), разогретой электрическим полем в чистых образцах p-Ge при T= 77 К. Полученные вольт-амперные характеристики (ВАХ) и распределения электрического поля и ИК-излучения горячих носителей вдоль образцов показали, что участки крутого роста либо S-образные участки ВАХ в образцах с n-p-контактами связаны с возникновением продольных термодиффузионных автосолитонов (AS), вследствие чего появляются тонкие (диаметром d=2-20 мкм) проплавленные токовые каналы. Такие AS образуются при высоких концентрациях ЭДП ( см^-3), когда доминирующим является электрон-дырочное рассеяние, и температурах электронов (T₀ - температура решетки). Участки насыщения и N-образные участки ВАХ обусловлены образованием поперечных термодиффузионных высокополевых автосолитонов (AS) в виде узких страт с напряженностью поля -20 кВ/см. Высокополевые AS образуются при концентрациях ЭДП n=5• 10¹³-1• 10¹⁶ см^-3, когда доминирующим является электрон-фононное рассеяние, и при температурах электронов (Θ - температура Дебая). И продольные, и поперечные автосолитоны при возникновении характеризуются высокой температурой носителей ( К) и пониженной их концентрацией и могут существовать одновременно в разных участках образца.