РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЧЕРЕЗ КВАНТОВУЮ ЯМУ С ДВУМЯ БАРЬЕРАМИ В ПОПЕРЕЧНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Серов А.Ю., Зегря Г.Г.

Поступила в редакцию: 8 Октября 2003

PACS: 73.40.Gk, 72.80.Ey, 72.20.Ht

DJVU (121.5K)

PDF (329.2K)

Теоретически исследовано туннелирование электронов через гетероструктуру с двумя барьерами и квантовой ямой между ними в магнитном поле, перпендикулярном току. Учтен вклад в ток от электронов с различным положением центра магнитного осциллятора. Показано, что с усилением магнитного поля происходит сужение области Z-образности вольт-амперной характеристики гетероструктуры. Анализ показывает, что существует критическое значение напряженности магнитного поля, при котором Z-образная вольт-амперная характеристика переходит в N-образную. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.