НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПО ВЕРХНЕЙ ЗОНЕ ХАББАРДА В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ p-GaAs/AlGaAs
Агринская Н.В., Козуб В.И., Иванов Л.Ю., Устинов В.М., Черняев А.В., Шамшур Д.В.

Поступила в редакцию: 23 Февраля 2001

PACS: 73.20.Dx, 71.30.+h

DJVU (160.7K)

PDF (1217K)

На многослойных структурах GaAs/AlGaAs p-типа, легированных бериллием, с квантовыми ямами шириной 15 нм впервые подробно исследована низкотемпературная двумерная прыжковая проводимость (с переменной длиной прыжка) осуществляемая по состояниям верхней зоны Хаббарда. Эта ситуация была реализована с помощью легирования слоя внутри ямы и близкого к яме барьерного слоя, когда верхняя зона Хаббарда (A⁺-центры) была в равновесном состоянии заполнена дырками. Во всем температурном интервале (4-0.4 K) проводимость носила характер моттовской прыжковой проводимости. Проведен анализ положительной и отрицательной ветвей магнитосопротивления, а также неомической прыжковой проводимости при низких температурах. Оценены плотность состояний и радиус локализации, амплитуда рассеяния и число рассеивателей в верхней зоне Хаббарда. Установлено, что картина интерференционных явлений в прыжковой проводимости по A⁺-зоне качественно аналогична соответствующей картине для обычной примесной зоны, однако подбарьерное рассеяние является относительно слабым.