КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ АНОМАЛЬНОГО СОСТОЯНИЯ И РОСТ КРИСТАЛЛОВ ГЕЛИЯ ПРИ ВЫСОКИХ ПЕРЕСЫЩЕНИЯХ
Цымбаленко В.Л.

Поступила в редакцию: 20 Ноября 2000

PACS: 67.90.+z

DJVU (2657K)

PDF (3397.2K)

Исследована кинетика образования аномального состояния кристалла гелия с быстрорастущей поверхностью. Экспериментально показано, что определяющий фактор образования аномального состояния - внешнее пересыщение. Измерены зависимости времени формирования состояния от температуры и от стартового пересыщения. Решена задача роста кристалла с возбуждением волны первого звука в контейнере. На основе решения определены зависимости кинетического коэффициента роста аномальных граней от температуры и от начального пересыщения. Показано, что кинетический коэффициент роста граней уменьшается по мере приближения к границам области существования аномального состояния. По затуханию осцилляций давления определен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатых поверхностей в аномальном состоянии. Найдено, что его значение в 3-4 раза превышает соответствующую величину для граней, но значительно, на порядок, меньше коэффициента роста таких поверхностей в нормальном состоянии. Рассмотрены явления, сопутствующие спиральному росту граней: возбуждение колебаний винтовой дислокации при вращении спирали и рождение вихревых колец в сверхтекучем гелии. Обсуждено влияние этих эффектов на кинетику роста граней и образование аномального состояния.