ЖЭТФ, Том 111,
Вып. 2,
стр. 562 (Февраль 1997)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 84, No 2,
p. 309,
February 1997
доступен on-line на www.springer.com
)
О реализации состояния типа сильно легированного полностью компенсированного полупроводника (СЛПКП) в кристаллическом полупроводнике с глубокой примесной зоной
Даунов М.И., Камилов И.К., Магомедов А.Б.
Поступила в редакцию: 18 Октября 1995
|
|
Золотые страницы
DJVU (219.1K)
PDF (502.3K)