Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа
Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядко В.В.

Received: December 2, 2021

DOI: 10.31857/S0044451022060104

PDF (343.4K)

В латеральных спиновых устройствах, изготовленных на полупроводниках InSb с различной концентрацией электронов, исследовались величина спин-индуцированного напряжения при эффекте Ханле и значение коэффициента спиновой поляризации электронов. Установлено, что с увеличением концентрации электронов величины как напряжения, так и коэффициента поляризации уменьшаются.